Name: IRL2910STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL2910STRLPBFTR-ND
Price: 3.63 USD
Availability: OutOfStock

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IRL2910STRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRL2910STRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRL2910STRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRL2910STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRL2910STRLPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	55A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	26mOhm a 29A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	140 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3700 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRL2910

IRL2910STRLPBF