SPB80N10L G Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

SPB80N10L G se ha descontinuado y ya no se comercializa en DigiKey.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SPB80N10L G
N.º de producto de DigiKey	SPB80N10LGINTR-ND - Cinta y rollo (TR) SPB80N10LGINCT-ND - Cinta cortada (CT) SPB80N10LGINDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPB80N10L G
Descripción	MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 80A (Tc) 250W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14mOhm a 58A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4540 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	SPB80N