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IXFX30N100Q2 está disponible para la compra, pero no está normalmente en stock.
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IXFX30N100Q2 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | IXFX30N100Q2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXFX30N100Q2 |
Descripción | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1000 V 30A (Tc) 735W (Tc) PLUS247™-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1000 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 400mOhm a 15A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5V a 8mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 186 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 8200 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 735W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS247™-3 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Se requiere cotización del fabricante
Para este producto, se requiere una cotización aprobada por el fabricante antes de poder ordenarlo. Los pedidos deben cumplir con la cantidad de paquetes estándar del fabricante, pueden estar sujetos a plazos de entrega extendidos y no se pueden cancelar ni devolver. Las cotizaciones generalmente se procesan en un plazo de 3 a 5 días hábiles posteriores a la presentación.
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