Name: FDB86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDB86102LZTR-ND
Price: 1.39 USD
Availability: OutOfStock

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FDB86102LZ
Número de pieza de DigiKey	FDB86102LZTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB86102LZCT-ND - Cinta cortada (CT) FDB86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB86102LZ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.3A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	24mOhm a 8.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1275 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FDB86102

FDB86102LZ