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FDD850N10L | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | FDD850N10LTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD850N10LCT-ND - Cinta cortada (CT) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FDD850N10L |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 100 V 15.7A (Tc) 50W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) | |
Estado de pieza | Última compra | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 75mOhm a 12A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 28.9 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1465 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 50W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Última compra
Fecha de la última compra: 01/01/2026
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