FDP86363-F085 onsemi | Productos de semiconductores discretos

FDP86363-F085 es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

MFR recomendado

onsemi

En stock: 0

Precio por unidad : $5.38000

Directo

Infineon Technologies

En stock: 0

Precio por unidad : $4.58000

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $1.73268

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

En stock: 0

Precio por unidad : $0.00000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FDP86363-F085
Número de pieza de DigiKey	FDP86363-F085-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDP86363-F085
Descripción	MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 80 V 110A (Tc) 300W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDP86363-F085 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	110A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.8mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10000 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	FDP86363