NTB35N15T4G onsemi | Productos semiconductores discretos

NTB35N15T4G
N.º de producto de DigiKey	488-NTB35N15T4GTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTB35N15T4G
Descripción	MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 37 A (Ta) 2W (Ta), 178W (Tj) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTB35N15T4G Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	37 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	50mOhm a 18.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3200 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta), 178W (Tj)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	NTB35