Name: NVDS015N15MCT4G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVDS015N15MCT4GTR-ND
Price: 2.28 USD
Availability: OutOfStock

NVDS015N15MCT4G está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Equivalente paramétrico

onsemi

En stock: 0

Precio por unidad : $2.28000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

NVDS015N15MCT4G
N.º de producto de DigiKey	488-NVDS015N15MCT4GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVDS015N15MCT4GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVDS015N15MCT4GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVDS015N15MCT4G
Descripción	PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 10.5A (Ta), 61.3A (Tc) 3.1W (Ta), 107.1W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10.5A (Ta), 61.3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15mOhm a 29A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 162µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2120 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Ta), 107.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63