Name: NVH4L020N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVH4L020N120SC1-ND
Price: 49.69 USD
Availability: OutOfStock

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NVH4L020N120SC1
N.º de producto de DigiKey	5556-NVH4L020N120SC1-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVH4L020N120SC1
Descripción	SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) TO-247-4L
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVH4L020N120SC1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	102A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	28mOhm a 60A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	4.3V a 20mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	220 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2943 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	510W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4L
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4
Número de producto base	NVH4L020

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