R6076MNZ1C9 Rohm Semiconductor | Productos semiconductores discretos

R6076MNZ1C9
N.º de producto de DigiKey	R6076MNZ1C9-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R6076MNZ1C9
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 76A (Tc) 740W (Tc) TO-247
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	R6076MNZ1C9 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	76A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	55mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	115 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7000 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	740W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	R6076