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TO-247-3
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STW65N65DM2AG

N.º de producto de DigiKey
497-16127-5-ND
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STW65N65DM2AG
Descripción
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) TO-247-3
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 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STW65N65DM2AG Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ DM2
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
50mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
5500 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
446W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
STW65
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30$6.01800$180.54
120$5.44883$653.86
510$5.11414$2,608.21
Paquete estándar del fabricante
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