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RS1E200BNTB

Número de pieza de DigiKey
RS1E200BNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR)
RS1E200BNTBCT-ND - Cinta cortada (CT)
RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
RS1E200BNTB
Descripción
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante
21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) 8-HSOP
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RS1E200BNTB Modelos
Atributos del producto
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Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
20A (Ta), 68A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3.9mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3100 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerTDFN
Número de producto base
RS1E
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Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
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5,000$0.27438$1,371.90
7,500$0.27234$2,042.55
12,500$0.26639$3,329.88
17,500$0.26500$4,637.50
Paquete estándar del fabricante