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RS1P600BHTB1
Rohm Semiconductor
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Precio por unidad : $3.71000
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Canal N Montaje en superficie 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) 8-HSOP
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RS1P600BHTB1

Número de pieza de DigiKey
846-RS1P600BHTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
846-RS1P600BHTB1CT-ND - Cinta cortada (CT)
846-RS1P600BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
RS1P600BHTB1
Descripción
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Plazo estándar del fabricante
28 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) 8-HSOP
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Atributos del producto
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Descripción
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Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
18A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
8.8mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4080 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerTDFN
Número de producto base
RS1P
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Cinta cortada (CT)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$3.71000$3.71
10$2.58100$25.81
100$1.81790$181.79
500$1.62640$813.20
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
2,500$1.39160$3,479.00
Paquete estándar del fabricante