Name: RUF015N02TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RUF015N02TLTR-ND
Price: 0.62 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RUF015N02TL
N.º de producto de DigiKey	RUF015N02TLTR-ND - Cinta y rollo (TR) RUF015N02TLCT-ND - Cinta cortada (CT) RUF015N02TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RUF015N02TL
Descripción	MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 1.5A (Ta) 800mW (Ta) TUMT3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RUF015N02TL Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	180mOhm a 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	110 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TUMT3
Paquete / Caja (carcasa)	3-SMD, conductores planos
Número de producto base	RUF015