Name: STB31N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13084-2-ND
Price: 1.84188 USD
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

Chat 800-351-0126 spanish.support@digikey.com Conavegar

STB31N65M5
N.º de producto de DigiKey	497-13084-2-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB31N65M5
Descripción	MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 22A (Tc) 150W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB31N65M5 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ V
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	22A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	148mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1865 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STB31

STB31N65M5