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STP10N60M2

N.º de producto de DigiKey
497-13970-5-ND
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STP10N60M2
Descripción
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Plazo estándar del fabricante
14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 7.5A (Tc) 85W (Tc) TO-220
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STP10N60M2 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ II Plus
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
7.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
600mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
400 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
STP10
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Paquete estándar del fabricante
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