Name: SPP07N60C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP07N60C3XKSA1-ND
Price: 2.63 USD
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

Chat 800-351-0126 spanish.support@digikey.com Conavegar

SPP07N60C3XKSA1
N.º de producto de DigiKey	SPP07N60C3XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPP07N60C3XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) PG-TO220-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	600mOhm a 4.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.9V a 350µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	790 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	SPP07N60

SPP07N60C3XKSA1