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IRFB9N60APBF

N.º de producto de DigiKey
IRFB9N60APBF-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
IRFB9N60APBF
Descripción
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Plazo estándar del fabricante
15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) TO-220AB
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Modelos EDA/CAD
IRFB9N60APBF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
9.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
750mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1400 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
IRFB9N60
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