STW42N65M5 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
Reemplazos disponibles:

Similar


onsemi
En stock: 0
Precio por unidad : $9.80000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 0
Precio por unidad : $7.88000
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 0
Precio por unidad : $5.85000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $9.10100

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $12.85663

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $18.63000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $18.68000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $24.98000
Hoja de datos

Similar


Vishay Siliconix
En stock: 0
Precio por unidad : $7.23000
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 0
Precio por unidad : $9.50000
Hoja de datos
Canal N Orificio pasante 650 V 33A (Tc) 190W (Tc) TO-247-3
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

STW42N65M5

Número de pieza de DigiKey
497-8796-5-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
STW42N65M5
Descripción
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 33A (Tc) 190W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STW42N65M5 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
79mOhm a 16.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4650 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

0 en stock
Consultar el plazo de entrega
Solicitud de notificación de existencias
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$9.30000$9.30
30$5.53867$166.16
120$5.37033$644.44
510$5.06588$2,583.60
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.