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TPS1101DR

N.º de producto de DigiKey
TPS1101DR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Texas Instruments
Número de pieza del fabricante
TPS1101DR
Descripción
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante
6 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Montaje en superficie 15 V 2.3 A (Ta) 791mW (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TPS1101DR Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Texas Instruments
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
15 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
2.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
90mOhm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
11.25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+2V, -15V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
791mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base
TPS1101
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Cinta y rollo (TR)
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