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Canal N Montaje en superficie 650 V 9.3A (Ta) 80W (Tc) DPAK
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TK9P65W,RQ

Número de pieza de DigiKey
TK9P65WRQTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TK9P65W,RQ
Descripción
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 650 V 9.3A (Ta) 80W (Tc) DPAK
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TK9P65W,RQ Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
9.3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
560mOhm a 4.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 350µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
700 pF @ 300 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base
TK9P65
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
2,000$0.96125$1,922.50
Paquete estándar del fabricante