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TP65H035G4WSQA
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TPH3207WS

N.º de producto de DigiKey
TPH3207WS-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
TPH3207WS
Descripción
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 50A (Tc) 178W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TPH3207WS Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
41mOhm a 32A, 8V
Vgs(th) (máx) a Id
2.65V a 700µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2197 pF @ 400 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
178W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)
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Obsoleto
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