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IRFI830GPBF

N.º de producto de DigiKey
IRFI830GPBF-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
IRFI830GPBF
Descripción
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 500 V 3.1 A (Tc) 35W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRFI830GPBF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
3.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.5Ohm a 1.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
610 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
Número de producto base
IRFI830
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Obsoleto
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