SI2323DS-T1-GE3 Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

SI2323DS-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI2323DS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2323DS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2323DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI2323DS-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 3.7 A (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI2323DS-T1-GE3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	39mOhm a 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	19 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1020 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	SI2323