
SI3127DV-T1-GE3 | |
---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI3127DV-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI3127DV-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI3127DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI3127DV-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP |
Plazo estándar del fabricante | 15 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 60 V 3.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 6-TSOP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI3127DV-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 89mOhm a 1.5A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 833 pF @ 20 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
---|---|---|
1 | $0.58000 | $0.58 |
10 | $0.35900 | $3.59 |
100 | $0.29250 | $29.25 |
500 | $0.22264 | $111.32 |
1,000 | $0.19320 | $193.20 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
---|---|---|
3,000 | $0.15645 | $469.35 |
6,000 | $0.14910 | $894.60 |
9,000 | $0.14805 | $1,332.45 |
15,000 | $0.14138 | $2,120.70 |
21,000 | $0.13649 | $2,866.29 |
30,000 | $0.13395 | $4,018.50 |
75,000 | $0.13000 | $9,750.00 |