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SI3421DV-T1-GE3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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SI3421DV-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SI3421DV-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI3421DV-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI3421DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI3421DV-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 6-TSOP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI3421DV-T1-GE3 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 19.2mOhm a 7A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2580 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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