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SI3812DV-T1-E3 es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SI3812DV-T1-E3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI3812DV-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI3812DV-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI3812DV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI3812DV-T1-E3 |
Descripción | MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 20 V 2 A (Ta) 830mW (Ta) 6-TSOP |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 2.5V, 4.5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 125mOhm a 2.4A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 600mV a 250µA (mín.) | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 4 nC @ 4.5 V | |
Vgs (máx.) | ±12V | |
Característica de FET | Diodo Schottky (aislado) | |
Disipación de potencia (Máx.) | 830mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Obsoleto
México