
SIS412DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SIS412DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIS412DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIS412DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 12A (Tc) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) PowerPAK® 1212-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIS412DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 24mOhm a 7.8A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 435 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $0.65000 | $0.65 |
10 | $0.38900 | $3.89 |
100 | $0.30800 | $30.80 |
500 | $0.28772 | $143.86 |
1,000 | $0.25766 | $257.66 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3,000 | $0.21114 | $633.42 |
6,000 | $0.20400 | $1,224.00 |
9,000 | $0.19377 | $1,743.93 |
15,000 | $0.19308 | $2,896.20 |
21,000 | $0.18750 | $3,937.50 |