Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 1.13 USD
Availability: OutOfStock

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SUD50N04-8M8P-4GE3
N.º de producto de DigiKey	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUD50N04-8M8P-4GE3
Descripción	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SUD50N04-8M8P-4GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	14A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.8mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2400 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	SUD50