FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSS138BK,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	2,794 En stock	1 : $0.24000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04182 Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	360mA (Ta)	10V	1.6Ohm a 350mA, 10V	1.6V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	56 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 1.14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	10,515 En stock	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04488 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	170mA	4.5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	1.6V a 250µA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2004K-7 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	971,665 En stock 717,000 Fábrica	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04725 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	600mA (Ta)	1.8V, 4.5V	900mOhm a 430mA, 4.5V	1V a 250µA	-	±8V	175 pF @ 16 V	-	550mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2120U-7 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	2,605 En stock 318,000 Fábrica	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06195 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.8 A (Ta)	1.8V, 4.5V	62mOhm a 4.2A, 4.5V	1V a 250µA	6.3 nC @ 4.5 V	±8V	487 pF @ 20 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002W-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 Diodes Incorporated	3,000 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04284 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7.5Ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
RUM001L02T2CL MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	1,092 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.03672 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	100mA (Ta)	1.2V, 4.5V	3.5Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 100µA	-	±8V	7.1 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
DMN2400UFB-7 MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	1,455 En stock 240,000 Fábrica	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06194 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.8V, 4.5V	550mOhm a 600mA, 4.5V	900mV a 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±12V	36 pF @ 16 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN2056U-7 MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 Diodes Incorporated	1,136 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06906 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4 A (Ta)	1.5V, 4.5V	38mOhm a 3.6A, 4.5V	1V a 250µA	4.3 nC @ 4.5 V	±8V	339 pF @ 10 V	-	940mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6246TRPBF MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 Infineon Technologies	2,365 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08670 Cinta y rollo (TR)	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.1 A (Ta)	2.5V, 4.5V	46mOhm a 4.1A, 4.5V	1.1V a 5µA	3.5 nC @ 4.5 V	±12V	290 pF @ 16 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2300UFB4-7B MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN Diodes Incorporated	10,000 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05406 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.3 A (Ta)	1.5V, 4.5V	175mOhm a 300mA, 4.5V	950mV a 250µA	1.6 nC @ 4.5 V	±8V	64.3 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X2-DFN1006-3	3-XFDFN
NTK3134NT1G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723 onsemi	2,169 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.11526 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.5V, 4.5V	350mOhm a 890mA, 4.5V	1.2V a 250µA	-	±6V	120 pF @ 16 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
MGSF1N02LT1G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 onsemi	3,500 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11016 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	4.5V, 10V	90mOhm a 1.2A, 10V	2.4V a 250µA	-	±20V	125 pF @ 5 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN10H220L-7 MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23 Diodes Incorporated	1,101 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12546 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.4 A (Ta)	4.5V, 10V	220mOhm a 1.6A, 10V	2.5V a 250µA	8.3 nC @ 10 V	±16V	401 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2035U-7 MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3 Diodes Incorporated	2,382 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08610 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.6 A (Ta)	1.8V, 4.5V	35mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	15.4 nC @ 4.5 V	±8V	1610 pF @ 10 V	-	810mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSD17310Q5A MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Texas Instruments	0 En stock 210,429 Mercado Consultar el plazo de entrega	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.37536 Cinta y rollo (TR) 618 : $0.49000 Granel	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	21 A (Ta), 100 A (Tc)	3V, 8V	5.1mOhm a 20A, 8V	1.8V a 250µA	11.6 nC @ 4.5 V	+10V, -8V	1560 pF @ 15 V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD16301Q2 MOSFET N-CH 25V 5A 6SON Texas Instruments	998,328 En stock	1 : $0.48000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16932 Cinta y rollo (TR)	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	5 A (Tc)	3V, 8V	24mOhm a 4A, 8V	1.55V a 250µA	2.8 nC @ 4.5 V	+10V, -8V	340 pF @ 12.5 V	-	2.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-SON	6-SMD, conductores planos
AO3416 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	6,000 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10954 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6.5 A (Ta)	1.8V, 4.5V	22mOhm a 6.5A, 4.5V	1V a 250µA	16 nC @ 4.5 V	±8V	1160 pF @ 10 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
PMPB13XNE,115 MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	2,096 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11016 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	8 A (Ta)	1.8V, 4.5V	16mOhm a 8A, 4.5V	900mV a 250µA	36 nC @ 4.5 V	±12V	2195 pF @ 15 V	-	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN2020MD-6	Placa descubierta 6-UDFN
DMN2990UFA-7B MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN Diodes Incorporated	2,255 En stock	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.12454 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	510mA (Ta)	1.2V, 4.5V	990mOhm a 100mA, 4.5V	1V a 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±8V	27.6 pF @ 16 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X2-DFN0806-3	3-XFDFN
FDN5618P MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 onsemi	0 En stock 12,500 Mercado Consultar el plazo de entrega	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15750 Cinta y rollo (TR) 1,500 : $0.35000 Cinta y rollo (TR)	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.25 A (Ta)	4.5V, 10V	170mOhm a 1.25A, 10V	3V a 250µA	13.8 nC @ 10 V	±20V	430 pF @ 30 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Vishay Siliconix	1,127 En stock	1 : $0.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13650 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.1 A (Tc)	2.5V, 4.5V	112mOhm a 2.8A, 4.5V	1V a 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	405 pF @ 10 V	-	860mW (Ta), 1.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIA483DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Vishay Siliconix	14,475 En stock	1 : $0.58000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16590 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	12 A (Tc)	4.5V, 10V	21mOhm a 5A, 10V	2.2V a 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	1550 pF @ 15 V	-	3.5W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SC-70-6	PowerPAK® SC-70-6
AON7406 MOSFET N-CH 30V 9A/25A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	3,868 En stock	1 : $0.59000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.12383 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	9 A (Ta), 25 A (Tc)	4.5V, 10V	17mOhm a 9A, 10V	2.4V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	888 pF @ 15 V	-	3.1W (Ta), 15.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3x3)	8-PowerVDFN
ZXMN2B01FTA MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 Diodes Incorporated	1,769 En stock	1 : $0.60000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14994 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2.1 A (Ta)	1.8V, 4.5V	100mOhm a 2.4A, 4.5V	1V a 250µA	4.8 nC @ 4.5 V	±8V	370 pF @ 10 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI7617DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	1,328 En stock	1 : $0.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.31875 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	35 A (Tc)	4.5V, 10V	12.3mOhm a 13.9A, 10V	2.5V a 250µA	59 nC @ 10 V	±25V	1800 pF @ 15 V	-	3.7W (Ta), 52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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