Name: TK12A60D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12A60D(STA4QM)-ND
Price: 3.45 USD
Availability: OutOfStock

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TK12A60D(STA4,Q,M)
N.º de producto de DigiKey	TK12A60D(STA4QM)-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK12A60D(STA4,Q,M)
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 12 A (Ta) 45W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	550mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	TK12A60

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$3.45000	$3.45
50	$1.81680	$90.84
100	$1.75420	$175.42
500	$1.34330	$671.65
1,000	$1.24645	$1,246.45
2,000	$1.22000	$2,440.00

TK12A60D(STA4,Q,M)

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